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Componentes Eletrônicos / Trasistores e Mosfets / Mosfet N-Channel / SI3456DDV-T1-GE3

SI3456DDV-T1-GE3

Transistor Mosfet N-CH 30V 6.3A TSOP-6 (kit 10 und)

SMT 6 terminais - Marcação no componente: AYHAQ (Kit com 10 unidades)

SI3456DDV-T1-GE3 - Vishay
SI3456DDV-T1-GE3 Transistor Mosfet N-CH 30V 6.3A TSOP-6 (kit 10 und)
Transistor Mosfet N-CH 30V 6.3A TSOP-6 (kit 10 und)Transistor Mosfet N-CH 30V 6.3A TSOP-6 (kit 10 und)Transistor Mosfet N-CH 30V 6.3A TSOP-6 (kit 10 und)
*Imagens ilustrativas

SI3456DDV-T1-GE3

Transistor Mosfet N-CH 30V 6.3A TSOP-6 (kit 10 und)

SMT 6 terminais - Marcação no componente: AYHAQ (Kit com 10 unidades)

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SI3456DDV-T1-GE3 Transistor Mosfet N-CH 30V 6.3A TSOP-6 (kit 10 und)

Condição de SI3456DDV-T1-GE3: novo em embalagem comercial


Outros Part Numbers para este componente: SI3456DDV

Manufacturer: Vishay
Product Category: MOSFET
RoHS:  
Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: TSOP-6
Transistor Polarity: N-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Id - Continuous Drain Current: 6.3 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 40 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
Qg - Gate Charge: 2.8 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: 150 C
Pd - Power Dissipation: 2.7 W
Channel Mode: Enhancement
Tradename: TrenchFET
Series: SI3
Packaging: Reel
Packaging: Cut Tape
Packaging: MouseReel
Brand: Vishay Semiconductors
Configuration: Single
Fall Time: 11 ns
Product Type: MOSFET
Rise Time: 9 ns

SI3456DDV-T1-GE3 Transistor Mosfet N-CH 30V 6.3A TSOP-6 (kit 10 und)


Condição de SI3456DDV-T1-GE3: novo em embalagem comercial

Tags de SI3456DDV-T1-GE3: SI3456DDV, SI3456DDV-T1-E3, SI3456DDV-T1-GE3, MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSOP-6, transistor AYHAQ, Vishay