KVR26S19S8/16

Kingston memoria 16GB SODIMM DDR4 2666Mhz

1.2V 1Rx8 para notebook

KVR26S19S8/16 Kingston memoria 16GB SODIMM DDR4 2666Mhz

Kingston memoria 16GB SODIMM DDR4 2666Mhz

*Imagens ilustrativas

KVR26S19S8/16

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KVR26S19S8/16 Kingston memoria 16GB SODIMM DDR4 2666Mhz

Condição de KVR26S19S8/16: novo em embalagem comercial

16GB 2666MHz DDR4 Non-ECC CL19 SODIMM 1Rx8
16GB Module - DDR4 2666MHz
Código do Produto: KVR26S19S8/16
Especificações: DDR4, 2666MHz, Non-ECC, CL19, X8, 1.2V, Unbuffered, SODIMM, 260-pin, 1R, 16Gbit

Descrição:
O KVR26S19S8/16 da Kingston é um módulo de memória SODIMM DDR4-2666 2G x 64 bits (16GB) CL19 SDRAM (DRAM síncrona), 1Rx8, com base em oito componentes FBGA 2G x 8bits. O SPD é programado para latência padrão JEDEC DDR4-2666 tempo de 19-19-19 a 1.2V. Cada DIMM de 288 pinos utiliza contatos de ouro.

Recursos:
- Fonte de alimentação: VDD 1,2 V típica
- VDDQ 1,2 V típico
- VPP 2,5 V típico
- VDDSPD 2,2 V a 3,6 V
- Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para
dados, strobe e sinais de máscara
- Auto-atualização de baixa potência (LPASR)
- Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
- Geração e calibração de VREFDQ na matriz
- Single-rank
- EEPROM de detecção de presença serial I2 on-board (SPD)
- 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada
- Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8
através do conjunto de registro de modo (MRS)
- Selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF)
- Topologia fly-by
- Comando de controle terminado e barramento de endereço
- PCB: Altura 1,23 -(30,00 mm)
- Compatível com RoHS e livre de halogênio

Especificações:
CL (IDD): 19 ciclos
Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 45,75ns (min.)
Tempo de comando de refresh (tRFCmin): 350ns (min.)
Tempo de linha ativa (tRASmin): 32ns (min.)
Classificação UL: 94 V-0
Temperatura de operação: 0ºC a 85ºC
Temperatura de armazenamento: -55ºC a 100ºC.

KVR26S19S8/16 Kingston memoria 16GB SODIMM DDR4 2666Mhz

Condição de KVR26S19S8/16: novo em embalagem comercial

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