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Componentes Eletrônicos / Semicondutores / K4S561632E-TC75

K4S561632E-TC75

Samsung DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16

3.3V 54-Pin 256Mb E-die SDRAM

K4S561632E-TC75 - Samsung
K4S561632E-TC75 Samsung DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16
Samsung DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16
*Imagens ilustrativas

K4S561632E-TC75

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K4S561632E-TC75 Samsung DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16

Condição de K4S561632E-TC75: novo em embalagem comercial

The K4S560432E / K4S560832E / K4S561632E is 268,435,456 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 16,777,216 words by 4 bits / 4 x 8,388,608 words by 8bits / 4 x 4,194,304 words by 16bits, fabricated with SAMSUNGs high performance CMOS technology. Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock I/O transactions are possible on every clock cycle. Range of operating frequencies, programmable burst length and programmable latencies allow the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications.

FEATURES
- JEDEC standard 3.3V power supply
- LVTTL compatible with multiplexed address
- Four banks operation
- MRS cycle with address key programs
-. CAS latency (2 e 3)
-. Burst length (1, 2, 4, 8

K4S561632E-TC75 Samsung DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16


Condição de K4S561632E-TC75: novo em embalagem comercial

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